Оглавление:
Диэлектрики ионного строения аморфные и кристаллические с неплотной упаковкой решетки ионами
- Аморфные и кристаллические диэлектрики ионной структуры с рыхлой упаковкой ионов решетки Диэлектрическая проницаемость таких диэлектриков (например, электрического фарфора,
неорганического стекла, асбеста) зависит от температуры и частоты напряжения вследствие проявления ионной и преимущественно ионной релаксационной поляризации (2.14, б).
Их величина мало Людмила Фирмаль
отличается от величины изоляторов с плотностью заполнения решетки, то есть около 4-20 и более. В этих диэлектриках TKE положительна и имеет высокое значение в отличие от tke
диэлектриков ионной структуры с плотным заполнением решетки. Увеличение диэлектрической проницаемости при нагревании происходит в основном за счет увеличения концентрации ионов,
| Неполярные полимеры | Жидкие и твердые диэлектрики молекулярного строения полярные |
| Полярные полимеры | Твердые диэлектрики ионного строения с плотной упаковкой решетки ионами |
Примеры решения, формулы и задачи
| Решение задач | Лекции |
| Расчёт найти определения | Учебник методические указания |
- участвующих в ионном обмене- Рис 2.14. Температурно-зависимая решетка диэлектрической проницаемости диэлектриков — высокоплотная упаковка корунда (а) и Решетчато-электрическая технология диэлектрическая проницаемость диэлектриков с рыхло
й упаковкой фарфора (б) — диэлектрик одинакова. Образование E: 1-AE (7); 2-an(7); 3-I(7); 4-Air (7) laxation polarization. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты
напряжения примерно такая же, как и у молекулярной структуры полярного Людмила Фирмаль
диэлектрика(рис. 2.13, а). На низких частотах в образовании электронов, ионов и релаксации Ионов участвуют три типа поляризации. На высоких частотах (- 106-1O10Hz или выше) короткий период полураспада означает, что напряжение будет достаточно малым, чтобы исчезнуть, поэтому значение e определяется только поляризуемостью A e и A I. С увеличением размера Иона и его валентности максимальная частота напряжения, при котором появляется ИК, уменьшается.
