Оглавление:
Принцип работы полупроводникового триода в качестве управляемого сопротивления
Принцип работы полупроводникового триода в качестве управляемого сопротивления. Основные правила, которые характеризуют принцип работы триода, обсуждаются в связи со схемой с общим основанием (рис. 249, а).
- Переходный слой между эмиттером и базой и переходный слой между базой и коллектором имеют пространственный заряд *. Объемный заряд отрицателен в области p, а
пространственный заряд положителен в области n. Людмила Фирмаль
Объемный заряд каждого переходного слоя генерирует электрическое поле, вектор напряженности которого направлен из p-области в p-область.
Другими словами, это электрическое поле предотвращает перемещение положительных носителей заряда из p-области в n-область и перемещение отрицательных носителей заряда из n-области в p-область.
- Разность потенциалов в переходном слое между областями p и p называется потенциальным барьером. Величина разности потенциалов в переходном слое зависит от коллектора эмиттера o) 6) b) Рис. 249
Таким образом, Ey 249, ® на диаграмме с учетом ЭДС , ЭДС По сравнению со значением разности потенциалов этого слоя уменьшаемся. Эй не включился.
показывает разность потенциалов в переходном слое между эмиттером и базой Людмила Фирмаль
Во-вторых, включение En в ЭДС приводит к увеличению разности потенциалов между базой и коллектором по сравнению со значением разности потенциалов этого слоя, когда En не включен.
Это объясняется тем, что напряженность электрического поля, создаваемого на переходном слое коллектор-база, в присутствии ЭДС.
Ен равна сумме объемного заряда и интенсивности от эдс, в то время как в переходном слое излучатель является базовым, а напряженность электрического поля Ey в присутствии ЭДС равна разнице между объемным зарядом и напряжением эдс: кривая /
На рис. 248 качественно показана зависимость потенциала Ey). Под воздействием этого электрического поля положительные носители заряда втягиваются в область коллектора и перемещаются к электроду коллектора.
Следовательно, большинство положительно заряженных носителей, которые покидают эмиттер и перемещаются в область, попадают в коллектор (потенциал коллектора является отрицательным по отношению к базовому потенциалу и потенциалу эмиттера).
В результате, только небольшое количество положительных носителей заряда из числа, которое переместилось из области эмиттера в базовую область, подходит для базового электрода. 249, если используется на рисунке, и в положительном направлении тока ток эмиттера (Q — сумма тока коллектора (если) и базового тока (Q: G = отношение тока коллектора к току эмиттера, как правило, a: a = — •
Планарный триод (см. §213) равен 0,95-0,98, в зависимости от режима работы триода, в точечных триодах а может быть больше 1. Полупроводниковые триоды являются контролируемыми сопротивлениями, среди них Величина падения напряжения между значением тока коллектора и электродом схемы коллектора является величиной эдс Eu.
При изменении полярности триод теряет управляемость с эдс схемы в рис. 249. Обратите внимание, что он функционирует как обычный неуправляемый диод в секции между коллекторами и коллекторами, что является необычным режимом работы триода,
и в этом случае отрицательные заряды перемещаются от основания к эмиттеру, но они генерации Ток, который генерируется, является относительно небольшим.
Смотрите также:
| Основные сведения об устройстве полупроводниковых триодов. | Плоскостные и точечные полупроводниковые триоды. |
| Три основных способа включения триодов в схему. | Вольтамперные характеристики триодов. |
Если вам потребуется помощь по электротехнике (ТОЭ) вы всегда можете написать мне в whatsapp.
